حافظه اس اس دی Samsung 870 QVO 1TB، یکی از جدیدترین حافظه اس اس دی های تولید شده توسط شرکت سامسونگ می باشد. این شرکت برای ساخت حافظه اس اس دی جدید خود، از فلش نوع QLC استفاده کرده است. حافظه اس اس دی QVO 870 سامسونگ ، از فلش V4 QLC V-NAND استفاده کرده است. اس اس دی 870 QVO که از رابط ساتا SATAIII بهره گرفته است و نیز در فرم فاکتور 2.5 اینچ می باشد، دارای سرعت خواندن و نیز نوشتن داده بالایی می باشد که در واقع سرعت خواندن اطلاعات 560 مگابایت در ثانیه است و نیز سرعت نوشتن اطلاعات برابر با 530 مگابایت بر ثانیه است که نشانگر این موضوع است که اطلاعات را در سرعت بالایی انتقال می دهد. از نظر سخت افزاری بسیار قدرتمند می باشد و کارایی و کیفیت بالایی را به نمایش می گذارد.
حافظه اس اس دی Samsung 870 QVO 1TB، یکی از جدیدترین حافظه اس اس دی های تولید شده توسط شرکت سامسونگ می باشد. این شرکت برای ساخت حافظه اس اس دی جدید خود، از فلش نوع QLC استفاده کرده است. حافظه اس اس دی QVO 870 سامسونگ ، از فلش V4 QLC V-NAND استفاده کرده است. اس اس دی 870 QVO که از رابط ساتا SATAIII بهره گرفته است و نیز در فرم فاکتور 2.5 اینچ می باشد، دارای سرعت خواندن و نیز نوشتن داده بالایی می باشد که در واقع سرعت خواندن اطلاعات 560 مگابایت در ثانیه است و نیز سرعت نوشتن اطلاعات برابر با 530 مگابایت بر ثانیه است که نشانگر این موضوع است که اطلاعات را در سرعت بالایی انتقال می دهد. از نظر سخت افزاری بسیار قدرتمند می باشد و کارایی و کیفیت بالایی را به نمایش می گذارد.
ظرفیت |
1 ترابایت |
رابط |
SATA 3 |
فرم فاکتور |
2.5 اینچ |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی |
560 MB/s |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی |
530 MB/s |
مصرف برق |
به طور میانگین 2.2 وات 3 وات |
ضد خش |
خیر |
مقاوم در برابر ضربه |
بله |
مقاوم در برابر لرزش |
بله |
مقاوم در برابر شوک |
بله |
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک |
1500 G |
نوع فلش |
MLC |
پشتیبانی از TRIM |
بله |
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی |
98,000 IOPS |
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی |
88000 IOPS |
میانگین عمر |
1.5 میلیون ساعت ( 600 TBW ) |
ایمیل شما نمایش داده نمیشود *